1000+ Câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính có đáp án - Phần 8
50 câu hỏi
Không tồn tại
– 3
3
253
Chọn đáp án B
Cộng hai số dương, cho kết quả âm
Cộng hai số âm, cho kết quả dương
Có nhớ ra khỏi bit cao nhất
Cả a và b
Chọn đáp án D
0 -> 2.n
0 -> 2.n - 1
0 -> 2n - 1
0 -> 2n
Chọn đáp án C
35
-35
-37
37
Chọn đáp án C
01100000
01010000
10100000
01101000
Chọn đáp án A
00101110
01011100
01101110
01011101
Chọn đáp án A
Để tiện cho việc quản lý
Để giảm chi phí khi thiết kế
Để giảm thời gian tìm đọc dữ liệu của CPU
Cả a,b,c đều đúng
Chọn đáp án D
100110110
101010110
100010110
100011110
Chọn đáp án C
10000100
11000100
11000010
10001001
Chọn đáp án A
Thực hiện phép cộng
Như là đầu vào của thanh ghi tích lũy
Thay đổi logic hoặc số học các từ dữ liệu
Tất cả các công việc được kể ở đây.
Chọn đáp án B
Thanh ghi tích lũy A fc
PC
Thanh ghi địa chỉ bộ nhớ
Thanh ghi lệnh
Chọn đáp án A
Kết nối ALU với Bus dữ liệu trong của CPU
Kết nối thanh ghi với thanh ghi tổng
Cách biệt đầu vào và ra của ALU
Đảm bảo lưu dữ liệu của thanh ghi tổng
Chọn đáp án A
Trước
Hiện thời
Sau đó
Luôn luôn ( a,b,c)
Chọn đáp án B
Bộ nhớ mở rộng
Bộ nhớ qui ước
Bộ nhớ phân trang
Bộ nhớ vùng trên
Chọn đáp án B
Có thể dùng điện để xoá PROM
PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần
EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần
Có thể dùng điện để xoá EPROM
Chọn đáp án C
Các đường địa chỉ là: A0 -> A13
Các đường địa chỉ là: D0 -> D13
Các đường dữ liệu là: A0 -> A14
Các đường dữ liệu là: D1 -> D8
Chọn đáp án A
SDRAM
SRAM
DRAM
DDRAM
Chọn đáp án B
1101
1011
1100
1001
Chọn đáp án A
D14A0000H
C14A0000H
B14C0000H
A14E0000H
Chọn đáp án B
19.75
18.75
19.74
19.76
Chọn đáp án A
Bộ nhớ bán dẫn động
Bộ nhớ bán dẫn tĩnh
Bộ nhớ ngoài
Bộ nhớ trong
Chọn đáp án A
Bộ nhớ bán dẫn tĩnh
Bộ nhớ ngoài
Bộ nhớ trong
Bộ nhớ bán dẫn động
Chọn đáp án A
Nạp địa chỉ hàng của DRAM
Nạp địa chỉ cột của DRAM
Nạp địa chỉ hàng của SRAM
Nạp địa chỉ cột của SRAM
Chọn đáp án A
3BCF0
3BDF0
3BCE0
4BCF0
Chọn đáp án A
Địa chỉ của một đoạn chứa ô nhớ
Địa chỉ vật lý của ô nhớ
Địa chỉ lệnh trong đoạn chứa ô nhớ
Địa chỉ logic của một ô nhớ
Chọn đáp án C
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
Chọn đáp án D
RAM vừa tĩnh, vừa động
RAM có tốc độ chạy đồng bộ với Bus hệ thống
RAM động
RAM tĩnh
Chọn đáp án B
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
Chọn đáp án A
Thời gian dịch chuyển đầu đọc trung bình
Thời gian trễ do quay đĩa
Thời gian đọc/ghi dữ liệu
Cả (a) và (b) đều đúng
Chọn đáp án C
80
36
39
40
Chọn đáp án A
10
12
15
30
Chọn đáp án D
360 Kb
720 Kb
1.2 Mb
1.44 Mb
Chọn đáp án A
1 sector
1 track
1 cylinder
512 bits
Chọn đáp án A
Fragmented File
Lost Cluster
Detached Cluster
Cross Linked Cluster
Chọn đáp án B
Bad
Cross-linked
Lost
Fragmented
Chọn đáp án B
Vị trí của ổ đĩa cứng lắp trên cáp dữ liệu
Dip switches
Jumpers
Thiết lập bằng phần mềm
Chọn đáp án C
Head
Track
Cylinder
Sector
Chọn đáp án A
Bộ nhớ qui ước
Bộ nhớ vùng trên
Bộ nhớ vùng cao
Bộ nhớ mở rộng
Chọn đáp án B
Bộ nhớ chỉ đọc
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
Bộ nhớ chỉ ghi
Mất điện không bị mất thông tin
Chọn đáp án B
Ổ đĩa cứng
Đĩa CD-ROM
RAM và ROM
Cả 3 loại trên
Chọn đáp án C
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
Chọn đáp án C
32 chân
128 chân
256 chân
64 chân
Chọn đáp án D
Khởi động
POST
Kiểm tra lỗi
Nạp hệ điều hành
Chọn đáp án B
Data bus
Data Path Size
Data Word Size
Data Font Size
Chọn đáp án C
123 MB
256 MB
64 MB
512 MB
Chọn đáp án B
Head
Cylinder
Sector
Cả 3 thông tin trên
Chọn đáp án D
Phân vùng
Định dạng
Lắp đặt vào máy tính
Cả 3 công việc trên
Chọn đáp án D
FFFh
000h
FF7
Một giá trị bất kỳ
Chọn đáp án B
FFFh
000h
FF7h
Một giá trị bất kỳ
Chọn đáp án C
Nó không quản lý được ổ đĩa cứng lớn
Nó quản lý được ít cluster
Kích thước của bảng FAT 32 lớn
Quản lý các ổ cứng lớn hơn 2GB đỡ lãng phí hơn FAT16
Chọn đáp án D








