100+ câu trắc nghiệm Điện tử công suất có đáp án - Phần 1

W_SWOFF = \(\frac{1}{6}\)V.I.t_swoff

W_SWOFF = \(\frac{1}{6}\)V.I.t_swon

W_SWOFF = \(\frac{1}{3}\)V.I.t_swon

W_SWOFF = \(\frac{1}{3}\)V.I.t_swoff

W_SW = \(\frac{1}{3}\)V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{6}\)V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{2}\)V.I(t_swon + t_swoff)

W_SW = V.I(t_swon + t_swoff)

P_SW = \(\frac{1}{3}\)VI(t_swon + t_swoff)f

P_SW = \(\frac{1}{2}\)VI(t_swon + t_swoff)f

P_SW = \(\frac{1}{6}\)VI(t_swon + t_swoff)f

P_SW = VI(t_swon + t_swoff)f

P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

P_T = V_FI_F\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

P_T = V_FI_F\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

P_T = \(\frac{1}{6}\)V_FmaxI_Fmax(t_swon + t_swoff)f

Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

Transistor có cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

Các câu A, B, C đều đúng

Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

Các câu A và C đều đúng

P_ON = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

P_ON = V_CCI_r\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

P_ON = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

P_ON = V_CCI_CM\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

P_OFF = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

P_OFF = V_CCI_r\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

P_OFF = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

P_OFF = V_CCI_CM\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

W_SW = \(\frac{1}{3}\)V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{6}\)V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{2}\)V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

W_SW = V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

P_T = P_ON + P_OFF + P_SWON

P_T = (P_ON + P_OFF + P_SW)

P_T = (P_ONt_on + P_OFFt_off + W_SW)f

P_T = (P_ON + P_OFF + W_SW)f

Có cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là V-mosfet để cấp dòng lớn

Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

Các câu A, B, C đều đúng

Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ)

Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cỡ vài chục volt

Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

Tất cả các câu A, B, C đều đúng

Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất

Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

P_ON = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

P_ON = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

P_ON = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

P_ON = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

P_OFF = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

P_OFF = \[I_D^2\]R_DSon\(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

P_OFF = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{on}}}}{T}\)

P_OFF = V_DSmaxI_DR \(\frac{{{t_{off}}}}{T}\)

W_SW = \(\frac{1}{3}\)V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{6}\) V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

W_SW = \(\frac{1}{2}\) V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

W_SW = V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

P_SW = P_ON + P_OFF + P_SWON

P_SW = (P_ON + P_OFF + W_SW)

P_SW = (W_SWon + W_SWoff)f

P_SW = (P_ON + P_OFF + W_SW)f

P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

P_T = V_DSI_D\[\frac{{{t_{on}}}}{T}\]

P_T = V_CDI_D\[\frac{{{t_{off}}}}{T}\]

P_T = \(\frac{1}{6}\)V_DSmaxI_D(t_swon + t_swoff)f

Một cách

Hai cách

Ba cách

Bốn cách

Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC

Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung

Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng

Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng

Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt

Các phát biểu trên đều đúng

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK dương và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK âm và cho xung kích đi vào cực G_A nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực G_A

GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng

GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng

Các phát biểu trên đều sai

Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi đóng GTO

Hạn chế tốc độ tăng thế dv/dtdv/dtdv/dt khi ngắt GTO

Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi đóng GTO

Hạn chế tốc độ tăng dòng di/dtdi/dtdi/dt khi ngắt GTO

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCR và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của SCS và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Transistor và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

IGBT là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động nhanh và công suất lớn của Triac và điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của mosfet

Công suất cung cấp cho tải trung bình (khoảng vài kW)

Tần số làm việc cao (vài kHz)

Thời gian giao hoán ngắt bé (khoảng 0,15 µs)

Các phát biểu trên đều đúng

BJT

TRIAC

UJT

JFET

mosfet

TRIAC

THYRISTOR

DIAC