25 CÂU HỎI
Cho: \[Zn + 2F{e^{3 + }} = Z{n^{2 + }} + 2F{e^{2 + }}\]
A. \[F{e^{3 + }}\] là chất oxy hóa và \[F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\] là sự khử
B. \[F{e^{3 + }}\] là chất oxy hóa và \[F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\] là sự oxy hóa
C. \[F{e^{3 + }}\] là chất khử và \[F{e^{3 + }} + e \to F{e^{2 + }}\] là sự khử
D. b, c đều đúng
Xét pin: Fe/FeSO4 //CuSO4 /Cu, phản ứng sau: Cu2+ + Fe = Cu + Fe2+ . Phát biểu nào sau đây là đúng?
A. Khối lượng Fe tăng
B. Khối lượng Cu giảm
C. Khối lượng Fe giảm
D. Dòng điện chuyển từ Zn sang Cu
Điện cực AgCl được điều chế cách phủ lên kim loại Ag một lớp muối AgCl và nhúng vào dung dịch KCl (Ag/AgCl/KCl) là điện cực:
A. Loại 1
B. Loại 2
C. Loại 3
D. Loại 4
Phản ứng xảy ra trên điện cực Calomel:
A. \[H{g_2}C{l_2} + 2e = 2Hg + 2C{l^ - }\]
B. \[H{g_2}C{l_2} + 2e = Hg + C{l^ - }\]
C. \[H{g_2}C{l_2} + 2e = Hg + 2C{l^ - }\]
D. \[H{g_2}C{l_2} + 2e = 2Hg + C{l^ - }\]
Cho phản ứng: \[3Ni + 2F{e^{3 + }} \to 2Fe + 3N{i^{2 + }}\]. Tìm φo của Ni2+ /Ni. Biết Eo của pin là +0,194V và φo của Fe3+ /Fe là -0,036V:
A. +0,158 V
B. -0,158 V
C. - 0,230 V
D. + 0,266 V
Khi phản ứng trong pin điện hóa tự xảy ra thì:
A. ΔG = 0 = -nEF
B. ΔG < 0 = -nEF
>
C. ΔG > 0 = -nEF
D. ΔG ≠ 0 = -nEF
Một nguồn pin gồm điện cực nikn nhúng trong dung dịch NiSO4 0,2M và điện cực đồng nhúng trong dung dịch CuSO4 0,4M. Biết \[{\varphi _{C{u^{2 + }}/C{u^o}}} = + 0,34V\] và \[{\varphi _{Z{n^{2 + }}/Z{n^o}}} = - 0,763V\]
A. \[\left( - \right)CuS{O_4}\left( {0,4M} \right)\left| {Cu\left\| {Zn\left| {ZnS{O_4}} \right.} \right.} \right.\left( {0,2M} \right)\left( + \right)\]
B. \[\left( - \right)\left. {Cu} \right|CuS{O_4}\left( {0,2M} \right)\left\| {ZnS{O_4}} \right.\left( {0,4M} \right)\left| {Zn} \right.\left( + \right)\]
C. \[\left( - \right)\left. {Zn} \right|ZnS{O_4}\left( {0,2M} \right)\left\| {CuS{O_4}} \right.\left( {0,4M} \right)\left| {Cu} \right.\left( + \right)\]
D. \[\left( - \right)ZnS{O_4}\left( {0,2M} \right)\left| {Zn\left\| {Cu\left| {CuS{O_4}} \right.} \right.} \right.\left( {0,4M} \right)\left( + \right)\]
Chọn câu đúng về phản ứng oxy hóa khử:
A. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử lần lượt xảy ra
B. Trong phản ứng oxy hóa khử, quá trình oxy hóa và quá trình khử cùng xảy ra đồng thời C. Quá trình oxy hóa là quá trình nhận electron gọi là sự oxy hóa. Quá trình khử là quá trình nhường electron gọi là sự khử
D. b,c đúng.
Chọn phát biểu đúng về Điện thế:
A. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha lỏng B. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 pha rắn
C. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 dung dịch có nồng độ khác nhau
D. Điện thế tiếp xúc là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha rắn. Đáp án
Lấy 40ml dd AgNO3 1,2.10-4 M trộn với 20ml dd KI 3.10-4 M ta được hệ keo:
A. Mang điện tích dương
B. Trung hòa điện
C. Mang điện tích âm
D. Vừa mang điện dương,vừa mang điện âm
Cấu tạo của keo AgI ở câu 61 có dạng:
A. \[{\left[ {m\left( {AgI} \right)n.{I^ - }.\left( {n - x} \right){K^ + }} \right]^{x - }}.x{K^ + }\]
B. \[{\left[ {m\left( {AgI} \right)n.{K^ + }.\left( {n + x} \right){I^ - }} \right]^{x - }}.x{I^ - }\]
C. \[{\left[ {m\left( {AgI} \right)n.{K^ + }.\left( {n - x} \right){I^ - }} \right]^{x - }}.x{I^ - }\]
D. \[{\left[ {m\left( {AgI} \right)n.{I^ - }.\left( {n + x} \right){K^ + }} \right]^{x - }}.x{K^ + }\]
Trong cấu tạo của keo AgI ở câu 62, lớp khuếch tán mang điện gì:
A. Âm
B. Không mang điện
C. Dương
D. Đáp án khác
Khi cho K2SO4 và hệ keo ở câu 61 thì ion nào tác dụng gây keo tụ:
A. Ag+
B. K+
C. NO3-
D. SO42-
Trong các chất điện li: K2SO4 , BaSO4 , Fe2(SO4)3 . Chất có ngưỡng keo tụ nhỏ nhất đối với hệ keo ở câu 62 là:
A. K2SO4
B. Fe2(SO4)3
C. BaSO4
D. a, b, c có ngưỡng keo tụ bằng nhau
Khi đặt hệ keo ở câu 61 vào 1 điện trường thì lớp khuếch tán sẽ di chuyển vào cực nào?
A. Âm
B. Dương
C. Không di chuyển
D. a, b, c đều sai.
Keo AgI ở câu 61 được điều chế bằng phương pháp:
A. Ngưng tụ do phản ứng trao đổi
B. Ngưng tụ do phản ứng oxy hóa - khử
C. Ngưng tụ do phản ứng khử
D. Ngưng tụ do phản ứng thủy phân
Cấu tạo của hạt keo gồm:
A. Tinh thể, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán
B. Lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán
C. Tinh thể, lớp ion quyết định thế hiệu, lớp hấp phụ.
D. Nhân keo, lớp hấp phụ, lớp khuếch tán.
Độ bền vững của hệ phân tán thường được chia ra làm các loại:
A. Độ bền độ học
B. Độ bền hóa học
C. Độ bền tập hợp
D. a, b đều đúng
Phương trình hấp thụ Langmuir chỉ áp dụng cho:
A. Hấp thụ đơn lớp
B. Hấp thụ tỏa nhiệt
C. Hấp thụ đa lớp
D. Tất cả đúng
Chọn phát biểu đúng về phản ứng đồng thể:
A. Phản ứng đồng thể là phản ứng có các chất tham gia phản ứng không ở cùng pha với nhau, còn phản ứng dị thể là phản ứng nhiều pha
B. Phản ứng đồng thể là phản ứng có các chất tham gia phản ứng ở cùng pha với nhau, còn phản ứng dị thể là phản ứng có các chất khác pha với nhau
C. Khi phản ứng xảy ra trong điều kiện đẳng tích và đẳng nhiệt thì biến thiên nồng độ 1 chất bất kỳ tham gia phản ứng trong một đơn vị thời gian được gọi là tốc độ phản ứng
D. a, b, c đúng
Cho 3 hệ phân tán: thô, keo và dung dịch thực. Kích thước hạt phân tán của chúng là:
A. Hệ keo < dd thực < thô
>
B. Thô < hệ keo < dd thực
>
C. dd thực < hệ keo < thô
>
D. Hệ keo < thô < dd thực
>
Theo tính chất của hệ phân tán keo thì gelatin có tính chất nào sau đây:
A. Hệ keo thân nước
B. Hệ keo sơ nước và thuận nghịch
C. Hệ keo sơ nước
D. Hệ keo thân nước và thuận nghịch.
Thế Helmholtz là thế được tạo:
A. Do điện thế trên bề mặt nhân và lớp khuếch tán
B. Do điện thế lớp ion đối và lớp khuếch tán
C. Do lớp tạo thế hiệu và lớp ion đối
D. Do tạo thế hiệu và ion của môi trường
Vai trò của nước trong phương pháp điều chế keo xanh phổ:
A. Là chất ổn định màu của keo xanh phổ
B. Là chất pepti hóa để phân tán các kiểu phân keo
D. Là dung môi giúp làm sạch tủa xanh phổ.
Hằng số tốc độ phản ứng bậc nhất được biểu thị theo công thức
A. \[k = \frac{{3,203}}{t}\ln \frac{{\left| A \right|}}{{\left| {{A_0}} \right|}}\]
B. \[k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{\left| A \right|}}{{\left| {{A_0}} \right|}}\]
C. \[k = \frac{{2,303}}{t}\ln \frac{{\left| {{A_0}} \right|}}{{\left| A \right|}}\]
D. \[k = \frac{{3,303}}{t}\ln \frac{{\left| A \right|}}{{\left| {{A_0}} \right|}}\]