Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc – phát (UBE) là:30/30 Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc – phát (UBE) là:0,3 V1 V0V0,7VGiải thíchChọn đáp án D