Trong Transistor trường MOSFET kênh N khi điện áp UGS> 0 trong mạch:

Điện tử bị đẩy xa khỏi kênh dẫn làm điện trở của kênh giảm, dòng điện ID giảm.

Điện tử bị hút vào vùng kênh dẫn làm điện trở của kênh tăng, dòng điện ID giảm

Điện tử bị đẩy xa khỏi kênh dẫn làm điện trở của kênh tăng, dòng điện ID giảm

Điện tử bị hút vào vùng kênh dẫn. làm điện trở của kênh giảm, dòng điện ID tăng