Trong Transistor trường MOSFET kênh cảm ứng kênh N khi điện áp UGS> 0V

Điện tử bị đẩy xa khỏi kênh dẫn làm điện trở của kênh giảm, dòng điện ID giảm.

Điện tử bị hút vào vùng kênh dẫn làm điện trở của kênh tăng, dòng điện ID giảm

Điện tử bị đẩy xa khỏi kênh dẫn làm điện trở của kênh tăng, dòng điện ID giảm

Tại vùng đế đối diện cực cửa xuất hiện các điện tử tự do và hình thành kênh dẫn nối giữa cực nguồn và cực máng.